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Come
il transistor anche il FET (Field Effect Transistor) è un semiconduttore
utilizzato per amplificare segnali di alta e bassa
frequenza.
Il FET è dotato di tre terminali: Gate, Drain
e Source.
Esistono
due tipi di FET: a canale P e a canale
N.
L’uno
può essere distinto dall’altro dal verso della freccia sul simbolo grafico.
Se la freccia è rivolta verso l’esterno, il FET è a canale P, in caso contrario è a canale N.
La
differenza tra i due tipi riguarda solo la polarità dell’alimentazione.
Nel tipo
a canale P il Drain
va sempre collegato al negativo dell’alimentazione ed il Source al positivo.
Nel canale
N il Drain
va sempre collegato al positivo dell’alimentazione
ed il Source
al negativo.
Nel FET amplificatore il segnale da
amplificare va sempre applicato al Gate.
Le caratteristiche
elettriche di un FET sono riportate sui datasheet dei costruttori, riportiamo di seguito
le principali:
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Vds
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Tensione massima
applicabile tra Drain e Source
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Ids
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Massima corrente
che possiamo far scorrere sul Drain
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Vgs/off
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Massima tensione negativa
per portare il FET in interdizione
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Vgs
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Valore della
tensione di polarizzazione del Gate
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Yfs
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Valore di transconduttanza espressa in millimho
(mmho)
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